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SI2312BDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2312BDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号SI2312BDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.9A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
类型N沟道
漏源电压（Vdss）20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）31 毫欧 @ 5A，4.5V
安装类型表面贴装
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.9A
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）850mV @ 250μA
栅源极阈值电压850mV @ 250uA
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）12nC @ 4.5V
漏源导通电阻31mΩ @ 5A,4.5V
漏源极电压（Vdss）20V
功率 - 最大值750mW
最大功率耗散（Ta=25°C）750mW

SI2312BDS-T1-GE3月价格走势

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