您好, 欢迎来到大联芯城 会员注册| 会员登录
合作商中心 客服中心：0755-82551557
STM32F302C8T6STM32L431RCT6STM32L151C8T6AVL53L0CXV0DH/1VL6180V1NR/1 STM8S005C6T6TR
我的购物车0
位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AON3814
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
浏览量:1112
分享：
AON3814

制造商：AOS

商品参数：AON3814

所属分类：MOS(场效应管)

近期最大存货

0个

近期最低价格

¥1.3833/PCS

包装数量：3000

近期最高价格：¥2.3384/PCS

低于最高价格：40.84%

查看所有价格

一键配价 联系客服 资料下载 收藏
服务承诺：正品行货现货现发异议退换

商品说明

N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V

  • RoHS标识

  • 无铅标识

  • 商品价格
  • 规格说明
  • 价格趋势
  • 商品评论
自营样品原厂正品现货库存4小时发货
供应商编号 供应商型号 货期 说明 库存 梯度价格(含税13%)
自营(DL0001)
 AON3814 当天发货 N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V 0

1+

10+

30+

100+

500+

1000+

￥2.338379

￥1.930979

￥1.756379

￥1.538517

￥1.441517

￥1.383317
一键配价
批量售价原厂正品现货库存4小时发货
暂无供应商提供配价
更多商品数据加载中...
型号AON3814
制造商AOS
封装DFN-8_3x3mm
漏源极电压（Vdss）20V
功率 - 最大值2.5W
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）17 毫欧 @ 6A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻17mΩ @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250μA
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W
FET 类型2 N 沟道（双）共漏
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）13nC @ 4.5V
类型双N沟道(共漏)
漏源电压（Vdss）20V
FET 功能逻辑电平门
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1100pF @ 10V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A

AON3814月价格走势

  • 数据加载中...
客户账号下单数量下单金额下单时间
注:只显示最近20条记录
注:只显示最近20条记录
  • 相关商品
关闭

意见反馈

感谢您使用大联芯城，请留下您宝贵的意见，我们一定认真对待！

商品对比

[隐藏]

  • 原厂原装正品品牌合作，严格监管

  • 海量现货库存在线下单，在线支付

  • 人性化采购服务快速报价，采购无忧

  • 一站式明码标价明码标价，价格透明

关于大联法律声明私隐声明联系我们  

版权所有 © 大联芯城（深圳）电子技术有限公司 dlchip.net Limited. All rights reserved |粤ICP备16125554号-1