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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AON3814
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AON3814

制造商：AOS

商品参数：AON3814

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V

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型号AON3814
制造商AOS
封装DFN-8_3x3mm
漏源极电压（Vdss）20V
功率 - 最大值2.5W
栅源极阈值电压1.1V @ 250uA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）17 毫欧 @ 6A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻17mΩ @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250μA
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W
FET 类型2 N 沟道（双）共漏
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）13nC @ 4.5V
类型双N沟道(共漏)
漏源电压（Vdss）20V
FET 功能逻辑电平门
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）1100pF @ 10V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）6A

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