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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > FDS8884
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FDS8884

制造商：FAIRCHILD(飞兆/仙童)

商品参数：FDS8884

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,30V,8.5A,23mΩ@10V

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型号FDS8884
制造商FAIRCHILD(飞兆/仙童)
封装SOIC-8_150mil
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）13nC @ 10V
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）635pF @ 15V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）8.5A（Ta）
功率 - 最大值2.5W
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）23 毫欧 @ 8.5A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
安装类型表面贴装

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