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US6M2TR

制造商：ROHM(罗姆)

商品参数：US6M2TR

所属分类：MOS(场效应管)

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型号US6M2TR
制造商ROHM(罗姆)
封装SMD-6
栅源极阈值电压1.5V @ 1mA
漏源导通电阻240mΩ @ 1.5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）1W,700mW
类型N沟道和P沟道
漏源电压（Vdss）30V,20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.5A,1A

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