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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > BSS84,215
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BSS84,215

制造商：NXP(恩智浦)

商品参数：BSS84,215

所属分类：MOS(场效应管)

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型号BSS84,215
制造商NXP(恩智浦)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2V @ 1mA
功率耗散（最大值）250mW（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
FET 功能逻辑电平门
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）45pF @ 25V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 1mA
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130mA（Ta）
漏源极电压（Vdss）50V
功率 - 最大值250mW
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）45pF @ 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）130mA（Ta）
工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
Vgs（最大值）±20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）10 欧姆 @ 130mA，10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）10 欧姆 @ 130mA，10V
安装类型表面贴装
漏源电压（Vdss）50V
技术MOSFET（金属氧化物）

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