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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > AO3434A
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AO3434A

制造商：AOS

商品参数：AO3434A

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,30V,4A,52mΩ@10V

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型号AO3434A
制造商AOS
封装SOT-23-3L
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）10nC @ 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.4W
漏源极电压（Vdss）30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）245pF @ 15V
类型N沟道
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）4A（Ta）
功率 - 最大值1.4W
连续漏极电流（Id）（25°C 时）4A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）52 毫欧 @ 4A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源导通电阻52mΩ @ 4A,10V

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