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Si2302CDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：Si2302CDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V

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型号Si2302CDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
漏源极导通电阻RDS(ON)57mΩ
MPQ3,000pcs
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.6A（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
漏源导通电阻57mΩ @ 3.6A,4.5V
封装形式PackageSOT-23-3
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
安装类型表面贴装
最大功率耗散（Ta=25°C）710mW
极性PolarityN-CH
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）850mV @ 250μA
类型N沟道
漏源电压（Vdss）20V
漏源极击穿电压VDSS20V
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）5.5nC @ 4.5V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）2.9A
连续漏极电流ID2.6A
系列低压MOS管
漏源极电压（Vdss）20V
功率 - 最大值710mW
栅源极阈值电压850mV @ 250uA

Si2302CDS-T1-GE3月价格走势

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