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SI2301CDS-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：SI2301CDS-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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P沟道,-20V,-3.1A,112mΩ@4.5V

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型号SI2301CDS-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
FET 功能标准
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）10nC @ 4.5V
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源极电压（Vdss）20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）405pF @ 10V
漏源导通电阻112mΩ @ 2.8A,4.5V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）3.1A（Tc）
功率 - 最大值1.6W
最大功率耗散（Ta=25°C）860mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
类型P沟道
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3.1A
FET 类型MOSFET P 通道，金属氧化物
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1V @ 250μA
安装类型表面贴装
漏源电压（Vdss）20V

SI2301CDS-T1-GE3月价格走势

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