您好, 欢迎来到大联芯城 会员注册| 会员登录
合作商中心 客服中心：0755-82551557
STM32F302C8T6STM32L431RCT6STM32L151C8T6AVL53L0CXV0DH/1VL6180V1NR/1 STM8S005C6T6TR
我的购物车0
位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > RSU002P03T106
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
浏览量:1218
分享：
RSU002P03T106

制造商：ROHM(罗姆)

商品参数：RSU002P03T106

所属分类：MOS(场效应管)

近期最大存货

0个

近期最低价格

¥0.4650/PCS

包装数量：3000

近期最高价格：¥0.7267/PCS

低于最高价格：36.01%

查看所有价格

一键配价 联系客服 资料下载 收藏
服务承诺：正品行货现货现发异议退换

商品说明

P沟道,30V,200mA,1.4Ω@10V

  • RoHS标识

  • 无铅标识

  • 商品价格
  • 规格说明
  • 价格趋势
  • 商品评论
自营样品原厂正品现货库存4小时发货
供应商编号 供应商型号 货期 说明 库存 梯度价格(含税13%)
自营(DL0001)
 RSU002P03T106 当天发货 P沟道,30V,200mA,1.4Ω@10V 0

5+

50+

150+

500+

3000+

6000+

￥0.726671

￥0.614138

￥0.557871

￥0.515672

￥0.481912

￥0.465033
一键配价
批量售价原厂正品现货库存4小时发货
暂无供应商提供配价
更多商品数据加载中...
型号RSU002P03T106
制造商ROHM(罗姆)
封装SOT-323(SC-70)
工作温度150°C（TJ）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4V，10V
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250mA（Ta）
FET 功能-
FET 类型P 通道
安装类型表面贴装型
功率耗散（最大值）200mW（Ta）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）30pF @ 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 1mA
Vgs（最大值）±20V
技术MOSFET（金属氧化物）

RSU002P03T106月价格走势

  • 数据加载中...
客户账号下单数量下单金额下单时间
注:只显示最近20条记录
注:只显示最近20条记录
  • 相关商品
关闭

意见反馈

感谢您使用大联芯城，请留下您宝贵的意见，我们一定认真对待！

商品对比

[隐藏]

  • 原厂原装正品品牌合作，严格监管

  • 海量现货库存在线下单，在线支付

  • 人性化采购服务快速报价，采购无忧

  • 一站式明码标价明码标价，价格透明

关于大联法律声明私隐声明联系我们  

版权所有 © 大联芯城（深圳）电子技术有限公司 dlchip.net Limited. All rights reserved |粤ICP备16125554号-1