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位置：首页 >晶体管 > MOS(场效应管) > UM6K1NTN
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UM6K1NTN

制造商：ROHM(罗姆)

商品参数：UM6K1NTN

所属分类：MOS(场效应管)

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型号UM6K1NTN
制造商ROHM(罗姆)
封装SOT-23-6
栅源极阈值电压1.5V @ 100uA
漏源导通电阻8Ω @ 10mA,4V
最大功率耗散（Ta=25°C）150mW
类型双N沟道
漏源电压（Vdss）30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）100mA

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