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NTJD5121NT1G

制造商：ON(安森美)

商品参数：NTJD5121NT1G

所属分类：MOS(场效应管)

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N沟道,60V,0.295A,2.5Ω@4.5V

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型号NTJD5121NT1G
制造商ON(安森美)
封装SC-70-6(SOT-363)
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）295mA
功率 - 最大值250mW
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）1.6 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
FET 类型2 个 N 沟道（双）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA
安装类型表面贴装
FET 功能逻辑电平门
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）0.9nC @ 4.5V
漏源极电压（Vdss）60V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）26pF @ 20V

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