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2N7002K-T1-GE3

制造商：VISHAY(威世)

商品参数：2N7002K-T1-GE3

所属分类：MOS(场效应管)

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型号2N7002K-T1-GE3
制造商VISHAY(威世)
封装SOT-23(SOT-23-3)
类型N沟道
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）300mA
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻2Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）350mW

2N7002K-T1-GE3月价格走势

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