Zeblit65W充电头

Zeblit泽布利特氮化镓充电器利用氮化镓（GaN）材料的宽禁带（3.4eV）和高电子迁移率特性，通过高频开关电源电路将交流电高效转换为直流电，实现更小体积、更高功率和更低损耗的充电过程。其核心原理是通过氮化镓功率器件（如开关管）提升开关频率（可达130kHz以上），减少能量损耗，同时优化电路设计压缩空间。

Zeblit65W充电头导热凝胶100%覆盖和工整的充电头内部结构

氮化镓材料特性

氮化镓作为第三代半导体材料，其物理特性是工作原理的基础：
1. 宽禁带（3.4eV）：比硅（1.1eV）高3倍，能承受更高电压（达330万V）和电场强度，减少击穿风险。

2. 高电子迁移率（1500 cm²/V·s）：电子流动速度更快，开关频率可达硅器件的10倍以上，降低导通损耗。

3. 高热导率（130 W/m·K）：散热效率高，减少发热对元件的损害。

工作原理与关键组件
充电器通过以下步骤转换电能，氮化镓器件核心作用已加粗：
1. 交流转直流：220V交流电经保险丝、EMI滤波和整流桥转为高压直流电。
2. 高频开关控制：
    - 氮化镓开关管（如比亚迪主控芯片）以130kHz高频开关电流，替代传统硅器件，减少变压器体积。
    - 配合PFC（功率因数校正）电路优化电能利用率。
3. 电压转换与稳压：
    - 变压器降压后，同步整流芯片（如BF1592）将低压交流电转为直流电，损耗比肖特基二极管低50%。

    - 协议芯片（如SW2303）动态匹配设备需求，输出稳定电压。

核心优势
1. 体积缩小30%-50%：高频开关允许使用更小变压器和电容（如28mm×27mm模块），因介电常数低，元件承载电容更少。
2. 效率＞95%：开关损耗降低50%，发热减少，支持更高功率密度（如100W输出）。

3. 多协议兼容：内置芯片支持PD/QC等快充协议，智能分配多口功率（如C1/C2口盲插67W）。

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