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自从1969年创业以来,在半导体领域独辟蹊径的匠人企业KEC,通过几十年不断的技术开发与经营革新,不但在品质上赢得了国内外知名电子企业的普遍信赖,其优秀的技术能力也受到广泛的认可。得益于当前迅猛推进的电子设备的数字整合(digital convergence), 通讯与IT技术的融合, 以及汽车电子化等, 各种半导体的需求与市场将会大大扩大。2004年, 作为未来发展的引擎KEC决定进军MOS领域, 秉承‘2010年SSTR市场占有率世界第一, 销售额1兆元’的目标, KEC夜以继日地开拓着世界市场. 从世界超小表面贴装型半导体封装(semiconductor package)与世界最初研制出的超节电型元件、以及世界最高效的高频(RF)元件和硅传感器(SILICON SENSOR)为止,KEC通过不断地挑战创造新技术, 塑造崭新的KEC未来。

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    说明:负电压 -12V 1A

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    说明:PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=10K R2=10K

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    说明:PNP,Vceo=-300V,IC=-500mA,PD=0.625W

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    说明:NPN Vceo=50V Ic=0.1A PC=0.2W R1=47K

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    说明:NPN,Vceo=30V,IC=800mA,PD=0.625W

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    说明:15V输出,Vin=35V(Max),低压差0.5V@Iout=3A

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    说明:输出9V,Vin=35V(Max)

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    说明:输出-7V,Vin=-35V(Max)

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    说明:PNP Vceo=-50V Ic=-2A PC=1.5W 开关三极管

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    说明:NPN,Vceo=30V,Ic=0.8A

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:NPN Vo=50V Io=0.1A PD=0.1W R1=10K R2=47K

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:VO=50V;IO=100mA NPN 内置偏压电阻

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  • 供应商:自营(DL0001)

    说明:NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~600

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